भाग क्रमांक | FQP55N10 | निर्माता | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
---|---|---|---|
वर्णन | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिती | लीड फ्री / आरओएचएस आज्ञापालन |
प्रमाण उपलब्ध | 92888 pcs stock | माहिती पत्रक | 1.FQP55N10.pdf2.FQP55N10.pdf |
व्हीजीएस (वॅ) (मॅक्स) @ आयडी | 4V @ 250µA | व्हीजीएस (मॅक्स) | ±25V |
तंत्रज्ञान | MOSFET (Metal Oxide) | पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज | TO-220AB |
मालिका | QFET® | आरडीएस ऑन (मॅक्स) @ आयडी, व्ही. एस | 26 mOhm @ 27.5A, 10V |
पॉवर डिसीपेशन (मॅक्स) | 155W (Tc) | पॅकेजिंग | Tube |
पॅकेज / प्रकरण | TO-220-3 | कार्यशील तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउंटिंग प्रकार | Through Hole | नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड वेळ | 11 Weeks | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिती | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कॅपेसिटान्स (सीस) (मॅक्स) @ व्हीडीएस | 2730pF @ 25V | गेट चार्ज (क्यूजी) (मॅक्स) @ व्हीजीएस | 98nC @ 10V |
एफईटी प्रकार | N-Channel | एफईटी फीचर | - |
ड्राइव्ह व्होल्टेज (वर जास्तीत जास्त RDS चालू, किमान RDS चालू) | 10V | स्त्रोत व्होल्टेजचे ड्रेन (व्हीडीएसएस) | 100V |
तपशीलवार वर्णन | N-Channel 100V 55A (Tc) 155W (Tc) Through Hole TO-220AB | करंट - सतत ड्रेन (आयडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 55A (Tc) |
फेडेक्स | www.FedEx.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग फी झोन आणि देशावर अवलंबून असते. |
---|---|---|
डीएचएल | www.DHL.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग फी झोन आणि देशावर अवलंबून असते. |
यूपीएस | www.UPS.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग फी झोन आणि देशावर अवलंबून असते. |
टीएनटी | www.TNT.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग फी झोन आणि देशावर अवलंबून असते. |